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IRF7452
Static @ T J = 25 ° C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
100
–––
–––
V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.11
–––
V/ ° C Reference to 25 ° C, I D = 1mA
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.060
?
V GS = 10V, I D = 2.7A
V GS(th)
I DSS
I GSS
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
5.5 V V DS = V GS , I D = 250μA
25 V DS = 100V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 80V, V GS = 0V, T J = 150 ° C
100 V GS = 24V
nA
-100 V GS = -24V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
g fs
Forward Transconductance
3.4
–––
–––
S V DS = 50V, I D = 2.7A
Q g
Q gs
Q gd
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
–––
–––
–––
33
7.3
16
50 I D = 2.7A
11 nC V DS = 80V
24 V GS = 10V,
t d(on)
Turn-On Delay Time
–––
9.5
–––
V DD = 50V
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
C oss
C oss
C oss eff.
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
11
16
13
930
300
84
1370
170
280
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
ns
pF
I D = 2.7A
R G = 6.0 ?
V GS = 10V
V GS = 0V
V DS = 25V
? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 1.0V, ? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 80V, ? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 0V to 80V
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
E AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
–––
–––
–––
200
4.5
0.25
mJ
A
mJ
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JA
Maximum Junction-to-Ambient
–––
50
° C/W
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–––
–––
–––
–––
2.3
36
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
–––
–––
77
270
1.3
120
410
V
ns
nC
T J = 25 ° C, I S = 2.7A, V GS = 0V
T J = 25 ° C, I F = 2.7A
di/dt = 100A/μs
2
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